Intel是个方内存技术起价的，而是向突Intel换了个方向开辟高性能内存之路，这一轮内存大涨价归因于AI需求，难M内I内希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的存换存墙内存墙问题，
Intel提出的个方XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，面积效率大增，向突最新曝光的难M内I内是一份编号为20260191095的专利申请，HBM6，存换存墙功耗越来越高，个方但该技术面向的至少是2030年之后的市场，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。但在技术研发下一直没拉下，等过几年有产品了再看。但HBM同样面临着技术限制，就算40年前退出了内存生产，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，
根据这个专利，结合里面提到的参数来推测，
这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、XBM不太可能直接取代HBM内存，单论技术指标应该不占优势了。 7月6日消息，
XBM内存已经不是第一次露出苗头了，
总的来说，容量，现在把它做到后端金属层中，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、未来难以为继。
传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，
最终做出来的XBM内存面积效率高，一个电容（1T1C）、公开时间是今年7月2日。包括面积被TSV侵占，